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高低温试验箱选型时应注意的事项

发布时间:2021-08-28

  高低温试验箱选型时应注意的事项

  用户在选择高低温实验箱时,有1些应注意的事项:

  1、高低温实验箱是测试组件进入箱体以后占据了畅通的渠道,通道变窄将致使流速的增加,加速测试片之间的空气活动与换热,这和环境条件的再现是不1致的,由于在温度和空气流速环境实验相干标准规定的实验箱试样周围气流不得超过1.7m/s,避免试样和周围空气产生热传导不符合实际,平均风速的空载实验箱内为0.6 ~ 0.8米/秒,不超过1m/s)来满足指定的要求在两个空间和面积的比,活动速度可以提高(50 ~ 100)%,高的平均风速(1米/秒到1.7 ~)符合标准要求。如果没有限制,在实验中增加的实验样品或断面积的,测试速度将增加到高风速超过标准,测试结果的有效性将遭到质疑。

  2、高低温实验箱工作腔内参数(如环境温度,湿度,盐雾沉降率)的精度指标在空载状态进行检测的,1旦放入实验样品,在实验箱腔内参数的均匀性会造成影响试件,空间占有越大,影响也更加严重。实验数据表明,在迎风面和背风侧的活动温度可以到达3 ~ 8℃,严重时可到达10以上℃。因此,我们必须想法满足两方面的要求,以保证实验样品周围环境参数的均匀性。

  3、根据热传导原理的高低温实验箱,箱壁附近的空气温度通常与流场中心温度相差2~3℃,在高温极限下,可到达5℃。近2 ~ 3℃温差箱壁温度和流场(箱壁结构和材料决定)实验温度与外部大气环境石墨烯制备及利用技术;大尺寸硅单晶生长、晶片抛光片、SOI片及SiGe/Si外延片制备加工技术;大型MOCVD关键配套材料、硅衬底外延和OLED照明新材料制备技术;大尺寸砷化镓衬底、抛光及外延片、GaAs/Si材料制备技术;红外锗单晶和宽带隙单晶及外延材料制备技术;第3代宽禁带半导体材料制备技术;高纯金属镓、铟、砷、锗、磷、镉半导体蒸馏、区熔提纯大型连续化工艺技术相差更大,温差也越大,因此,箱壁100 ~ 150mm范围的空间是不可用空间。

  附:高低温实验箱小常识

  a、高低温实验箱是1体机的结构情势,制冷系统安装在箱体后下部份,实验箱上面有控制系统(如果贵司由于实验室门或电梯门尺寸略窄,致使装备整机没法进入,我司可按用户需求然后转动手轮定制成拆体式或将控制器从右侧移至顶部)。

  b、实验箱的风道夹层里,有加热器,蒸发器,风机等装备散布;实验箱左边安装50电缆孔,高低温实验箱是单开门(镶嵌不锈钢门把手)。

  c、高低温实验箱双层抗高温老化硅橡胶密封,能有效保证实验箱的温度损失。

  d、高低温实验箱门上设有视察窗,防霜装置和照明开关控制。使用多浙江国泰电器科技有限公司层中空钢化玻璃视察窗,内侧胶合片式导电膜加热除霜,进口品牌照明灯具,全面视察和工作室里面测试变化。